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半導體

放大字體  縮小字體 發布日期:2006-08-16

半導體由于禁帶寬度較小,升溫時(有時還可以借助于光、電和磁效應)價電子被激發,從滿帶進入空帶,而在滿帶形成空穴,從而可以導電。利用純固體晶體直接在某種勢場作用下導電(可為電子導電,也可為空穴導電)的材料為本征半導體。這種電子激發稱為本征激發。當純材料中摻有極少量(例如,相對量在10-9左右)不同價態的異核原子時,會使電導率發生顯著變化,即使半導體改性,便形成雜質半導體。如在Ⅳ價的Si,Ge中摻入Ⅴ價的PAs等原子時,PAs占據了Si的結點位置,每個家Ⅴ價原子便以四個共價單鍵與周圍四個Si結合,過剩的一個電子與原子結合得較松散,在雜質離子附近的晶格內運動。這些電子處于較高于價帶而稍低于空帶的雜質能帶中。它們較易被激發到空帶而形成n-型導電過程。這類雜質可稱施主雜質,雜質能帶動為施主能帶。這種半導體稱為n-(負型)半導體或電子半導體。相應地,如摻雜的是Ⅲ價的B等原子,B替代了Si的位置上將出現空穴,并在B-附近的Si晶格內運動,形成了稍高于滿帶的雜質能帶——受主能帶,價帶電子較易激發到受主能帶上去,形成p-(正型)導電過程。B等稱為受主雜質。這種半導體稱為p-型半導體或空穴半導體。此外,還有很多合金和化合物半導體,它們是Ⅲ-Ⅴ族化合物,如AlGaInP,As,Sb等所形成的化合物。比較典型的是InSb,GaAs等,它們在激光、光電轉換、紅外遙感等許多技術中有廣泛的應用前景。

 
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