豐度

 

類似于UV檢測器上的吸光度在背景值上信號的垂直增加，表示某特定離子的強度(當x軸被校正為質量單位)或存在的總離子強度(當水平軸被校正為時間或掃描)。單個被測物或化合物產生的所有碎片離子分別與基峰相比的值(每個離子的相對豐度)被作為該化合物的特定碎裂模式，進行質譜圖。

 

準確測定的質量

 

以一定誤差值測得的化合物質量數，如測量誤差為5ppm。精確測定的質量通常也用于指具體的技術，而不是測量的質量。精確質量是化合物質量的準確理論值。

 

常壓固體分析探針(ASAP)

 

在1970年代，基于Horning的工作，由McEwen和McKay開發了這種形式的樣品電離途徑，使用標準的APCI等離子體，通過將樣品放置入加熱的氮氣流中，形成離子。加熱揮發非常多的樣品，通過與APCI等離子體形成的亞穩定離子之間的電荷交換形成離子。使用質量精度高的質譜儀，能從復雜混合物中相對清楚的鑒定出低含量水平的單個化合物。也可參見DART和DESI。

 

大氣壓電離(API)

 

該專業用語通常指的是，諸如電噴霧電離(ESI)、大氣壓化學電離(APCI)和其它在大氣壓下操作的技術。

 

大氣壓化學電離(APCI)

 

原本稱為溶劑介導的電噴霧，通常有效的應用于直接脫離溶液不易電離的中性分子。APCI在尖銳的針尖提供電流，被放置在進入的氣霧流中，以建立來自溶液自身的亞穩離子等離子體，當被分析物通過等離子體時，將來自這些離子的電荷傳遞給被分析物。加熱LC或溶劑流通過的探針，形成氣溶膠。

 

常壓氣相色譜

 

由DuPont的Chales McEwen于2002年開發而來。使用加熱的轉移管線，GC流出物能夠引入到質譜儀的標準API(或ESI/APCI)離子源。這便于那些適合用GC分析的化合物簡單方便地從ESI向GC轉換。電離方式可以是APCI或APPI。

 

大氣壓光電離(APPI)

 

1980年代已被開發出，但是在2000年后，發現氪氣燈能夠產生10eV（大約）足夠的光子能量，電離諸如PAH和甾體等通常不適合采用ESI和APCI電離的非極性被測物，這項技術才被商業化。

 

基峰

 

通常指與波譜圖中其它峰相比最強的峰；在能給出大量結構信息的電離技術中，比如EI，基峰可能不是母離子或分子離子。

 

校正

 

通常以恒定流速導入已知的物質，質譜儀軟件按指定的過濾條件(例如，四級桿質譜儀的RF/DC比率)采集信號。將采集信號與參照文件比較后，在軟件中建立校對查詢表。然后將校正表作為通過四級桿質荷比的基準，分配具體數值。

 

電荷殘留機制

 

該機制與電噴霧電離相關；1968年由Malcolm Dole第一次提出該理論，在該理論中，他假定當小液滴揮發時，其電荷仍然保持不變。液滴的表面張力最終不能平衡帶電電荷的斥力，將小液滴炸裂成很多的更小液滴。持續發生庫侖分解，直到小液滴只含單一的被測物離子。當溶劑從最后形成的小液滴中揮發掉，將形成氣相離子。

 

化學電離(CI)

 

通過導入反應試劑，在低真空(0.4托)誘發碰撞，以增加分子離子的產率和提高靈敏度；因為這種電離，相比于電子撞擊電離，是一能量非常低的過程，所得碎片減少，通常稱為軟電離技術。可參見電子電離中的相關內容。

 

碰撞誘導解離(CID)

 

也稱碰撞激活解離(CAD)，是氣相中破碎成分子離子的一種機制，分子離子通過在真空區域加速(采用電勢)到高動能，隨后與中性分子，如氦、氮或氬，碰撞，碎裂形成碎片離子。一部分動能通過碰撞轉化或內化，結果使化學鍵斷裂，分子離子碎裂為更小的片段。一些類似的‘特殊目的'的破碎方法，包括電子轉移解離(ETD)，電子捕獲解離(ECD)。

 

實時直接分析(DART)

 

2002年，由Robert Cody和其它研究人員開發出，在應用上類似于DESI，雖然在功能上更接近于APCI。樣品放置在一種底物之上，通過類似于APCI的過程，形成的高能粒子，轟擊樣品。更確切的說，通過等離子體形成亞穩離子，再由加熱后的氮氣，直接將亞穩離子輸送到靶點。

 

延時提取 (DE)

 

為MALDI-TOF質譜儀開發的一項技術，在離子形成后，加速離子進入飛行管之前，冷卻"并聚焦離子大約150納秒。與未冷卻的離子相比，冷卻的離子具有較低的動能分布，當冷卻離子進入TOF分析器時，冷卻離子最終降低離子時間展寬，結果增加了分辨率和準確度。DE對大分子不具有顯著的效益(例如，蛋白質>30000Da)。

 

解離-電噴霧電離 (DESI)

 

在2002年，Graham Cooks第一次描述了該電離技術，將其作為從惰性基質表面(通常條件下)產生軟次級離子的方式。該技術類似于MALDI，使用ESI探針，以相對于惰性基質表面大約50度的入射角瞄準，使離子化學噴射，進入質譜儀。已表明不需樣品制備，能得到直接來自很多極性和非極性表面材料的信息(皮膚，完整水果上檢測藥物殘留等等)。

 

硅上的脫吸電離(DIOS)

 

曾經被視為MALDI制備樣品的基質替代物，尤其對小分子，因為基底(裸露的硅表面)不產生干擾離子。在1990年代后期，其商業潛力減小，因為板的制造存在難處，并且表面容易被污染。

 

直流電流

 

當描述四級桿作為質量過濾器怎樣工作時，這一專業用語通常與"射頻"聯合使用。在1953年，Wolfgang Paul證明在4根平行桿之間，將射頻(RF)和恒定直流電流(DC)電勢疊加，可作為質量分離器或過濾器，只有特定質量范圍的離子，可以恒定振幅振蕩，通過四極桿而被分析器收集。

 

電子電離 (EI)

 

有時錯誤地稱為"電子撞擊"電離，這種電離技術是電子與顆粒(原子或分子)相互作用的結果；該技術被認為是‘硬'電離技術，因為電離過程中傳遞大量能量，破壞分子內部化學鍵，破壞這些化學鍵需要高達千卡/摩爾的能量。電離電壓(通常70eV)指的是引起電子加速的電壓差，該電壓誘導電子電離。不同于CI，EI通常在高真空下工作，以避免不可控的碰撞。分析器也在非常高的真空下工作(10-4到10-6托)。

 

電噴霧電離(ESI)

 

為所謂的‘軟'電離技術。大氣壓電離(API)是已被廣泛使用的技術。自從1980年代后期以來，該技術顯示出顯著的商業價值，這要歸功于，對引導流體在其內部流動的導電管(不銹鋼毛細管)施加過多的能量(電壓范圍在3-5千伏)，當液體從導電管經過時，超過瑞利極限，形成氣溶膠而被射出，產生包含離子，半徑大約為10微米的氣溶膠液滴。通常離子被質子化，以M+H的陽離子模式或M-H的負離子模式，被檢測。

 

元素分析

 

離子、分子或自由基的名義質量是，其基本組成元素名義質量的總和。準確質量測定基于計算的基本組成，但是‘元素分析'通常針對無機材料-只確定基本的組成，不確定結構-在一些情況下，可分析固體金屬樣品。誘導偶合等離子體(ICP)源通常通過放電(或較低能量的發光放電)電離樣品。在萬億分之一水平使用精密儀器檢測則不常見。

 

精確質量

 

化合物質量的準確理論值。準確測定質量是化合物的質量測定值，存在測量誤差，如5ppm。準確測定質量也通常是指具體的技術，而不是測量的質量。

 

快原子轟擊(FAB)

 

是較早的所謂的軟電離技術之一，轟擊的結果通常有密集的分子離子，并且幾乎不發生碎裂。被測物放入流動的基質中(通常是甘油)，或更常見置于探針的頂端，然后將其置于高能原子的路徑上-通常是氙或化銫。該技術對分子量大于10000原子單位的生物分子有效，但可與扇形磁場聯用的特點更加重要，使用這種聯用技術，能夠確定準確的質量，比如新合成的肽。靈敏度可能非常高(低飛摩爾水平)。這項技術可能難于掌握，甘油污染質譜儀離子源，甘油離子的存在，可能掩蓋較低的質量。自從ESI引入后，該技術很少使用。

 

場電離 (FI)

 

FI為軟電離技術，對大量的各種被測物，幾乎沒有碎裂作用。該技術對石油化學方面的應用尤其顯著，在這個領域里，采用其它電離技術會有局限性，因為存在碎裂(EI)問題或其電離特點復雜(CI)。帶高電壓的一根細金屬絲，在有機化合物蒸汽中，比如茚，被加熱。產生的呈樹突狀沉積在金屬絲表面的結構，被熱分解，生成非常纖細的傳導纖絲。當在非常纖細的點，施加高電勢，將在其尖端產生非常強的電場，這就提供了發生場電離的條件。樣品分子貼近通過FI發射極形成的大量碳樹突狀結晶的尖端。FI發射極與一對空提取桿貼近放置。發射極為地電勢，提取桿施加相對高的電壓(12kv)，這樣在碳樹突狀結晶的尖端周圍，形成非常高的電場。GC柱緊靠發射極金屬絲，并與其成一直線。在電場的作用下，出現分子價電子的量子通道，釋放出離子基。

 

流動注射分析(FIA)

 

這是通過LC進樣器導入樣品的分析(通常事先純化，去掉干擾物，減少結果譜圖的復雜性)，但是不接色譜柱。LC只作為樣品導入裝置。

 

細絲

 

在電子電離中，細絲是電子的來源，電子與被測物相互作用，引起電離。通常由金屬絲制成(扁平或圓形)，在電流加熱時，釋放出70eV的電子。

 

碎片離子

 

碎片離子是由母體分子離子發生碎裂產生。解離出的所有碎片的質量數之和等于母離子的質量數，在指定的條件下，以可預測的方式，斷裂相同的內鍵，分子碎裂方式是可以預測的(碎片離子相同，其相對豐度也相同)。也可參見從具體MRM試驗得到的產物(子代)離子。

 

氣相離子

 

為了質譜儀能夠工作和采集，被測物必須實現從靜止狀態像離子狀態轉換。如該手冊所述，有很多途徑完成這一轉換-一些途徑采用比較激烈方式產生碎片，而另外的一些途徑能保持被測物完好。能量作用于被測物，在氣相產生離子，跟在LC中根據冷凝相用于被測物分離的過程完全相反。

 

均方根誤差測定(RMS)

 

為評估儀器質量準確測量功能(類似于預期使用)的綜合方法，數值上等于均方根或RMS誤差。RMS誤差按下列關系計算，在此Eppm是ppm誤差，n是考察質量的個數。RMS =n

 

掃描

 

通過計算機調整控制電壓(DC和RF)，在指定的范圍內，隨時間掃描(檢測)給定質量范圍內的任何帶電顆粒。能夠檢測多種帶電離子則會降低靈敏度，因為檢測器能夠響應一些目標離子，但檢測器卻被設置在其它的檢測范圍。參見選定離子的監測，四級桿和離子電流章節的內容。

 

選定離子的監測(SIM)

 

也稱為選定離子的記錄(SIR)；也可參閱四級桿和掃描。

在四級桿上，能夠調節DC和RF電壓設置，僅讓一個帶電顆粒通過(單質荷比)到達檢測器。結果噪音顯著減少，當靈敏度顯著增加時，出現信號(此m/z的所有顆粒始終被檢測)，這完全以檢測不到混合物中的其它質荷比的顆粒為代價。熱噴霧雖然文獻報道這種類型的接口已有一段時間，但是直到1980年代早期才普及。Vestal和Blakely應值得贊賞，因為他們在LC和MS之間首次建立了實際可行，完全商業化的接口技術。大約流速1mL/min的LC溶劑在探針中，被加熱(絕緣管大約1-2英尺長，75-150微米的內徑)，形成的蒸汽噴入質譜儀。質譜儀中的氣溶膠液滴被進一步去溶劑，形成離子，進入分析器(以適合的角度噴射)，會受到透鏡電壓的影響。參見掃描，離子電流。